Japanese Chemical Insights

  世界のヘキサフルオロブタジエン（HFBD）市場は著しい拡大を遂げており、2024年には4億9400万米ドルと評価され、2031年までに15億6000万米ドルに達すると予測されています（年平均成長率18.3％）。この成長の主因は、HFBDが半導体製造における高性能エッチングガスとして不可欠であり、複数のハイテク産業での採用が進んでいることにあります。 化学式C4F6で知られるヘキサフルオロブタジエンは、従来のフルオロカーボンガスに代わる優れた代替品として台頭しており、特に3D NANDフラッシュメモリの製造において、かつてない精密なエッチングを可能にします。その分子構造は、エッチング工程における高い選択性と環境負荷の低減を両立させ、半導体製造の複雑化および世界的な環境規制の強化に応える重要な特長となっています。 無料サンプルレポートのダウンロードはこちら 市場概要と地域別分析 アジア太平洋地域はHFBD消費の74％を占めており、特に韓国、台湾、中国といった半導体大国では、3D NAND生産能力の急速な拡大が進んでいます。日本は、複数の主要HFBDメーカーや次世代用途の研究開発センターを擁するイノベーション拠点として重要な役割を果たしています。 北米では、CHIPS法のような国内半導体生産促進策により市場成長が後押しされています。一方、ヨーロッパは特殊電子機器の製造分野により安定した需要を維持しています。新興地域でも、世界的な半導体サプライチェーンの地理的多様化に伴い、採用が進展しています。 主要な市場推進要因と成長機会 データストレージ需要やIoT機器の爆発的な増加が3D NAND技術の需要を牽引しており、HFBDは先端ノードにおけるエッチングガスとして不可欠な存在となっています。この化合物の特性により、20nm未満の微細なジオメトリの実現が可能となり、次世代メモリチップの製造に貢献します。加えて、電子機器の省電力化需要の高まりにより、パワー半導体や先端ロジックチップ用途でもHFBDの機会が拡大しています。 環境配慮型製造を志向するメーカーの間では、HFBDが従来のパーフルオロカーボン（PFC）に比べて温室効果ガス排出量が大幅に低いことから、より持続可能な代替品として注目されており、この移行は主要製造地域での厳格な環境規制によって加速しています。 課題と制...