半導体用ネオン市場規模 2025～2032年 | 3億2870万米ドルから5億3290万米ドルへ、業界構造変化が加速

August 19, 2025

半導体用ネオン市場は堅調な成長軌道を維持しており、最新の業界分析によれば2024年の市場規模は3億540万米ドルに達しました。今後は年平均成長率（CAGR）7.1%で拡大し、2032年には5億3290万米ドルに到達すると予測されています。この成長は、半導体産業における先端ファブリケーションノードへの移行が進む中で、フォトリソグラフィ工程に不可欠なネオン需要が増加していることに起因します。

半導体グレードのネオンは特に10nm未満の先端プロセスにおいて不可欠な資源です。エキシマレーザーにおけるバッファガスとして使用され、99.999%以上の超高純度仕様が求められることで、先端プロセッサやメモリーデバイスの精密なウエハパターニングを可能にします。東欧の伝統的供給元に依存したサプライチェーンが混乱する中でも、市場は強靭性を示し、各社は供給源の多様化を積極的に進めています。

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市場概要と地域別分析

アジア太平洋地域は世界需要の50%以上を占める最大市場であり、台湾、韓国、中国における主要ファウンドリーの集中が背景にあります。日本は高純度ネオンの主要生産拠点として台頭しており、高度なガス精製技術を活用しています。同地域の強みは、粗ネオンの供給源である製鉄所と、専門的な精製施設を結ぶ統合型サプライチェーンにあります。

北米は高度な精製技術において優位性を持ち、主要産業ガス企業が高度な設備を運営しています。CHIPS and Science Act による国内半導体生産の強化は、ネオンサプライチェーン全体に波及効果をもたらしています。欧州ではEUVリソグラフィシステムメーカーからの需要が堅調ですが、地政学的緊張を背景に安定供給の確保が課題となっています。

主な市場ドライバーと成長機会

市場成長を推進する主因は以下の通りです。

半導体産業の拡大
テクノロジーノードの進化
地域ごとの製造能力投資

特に3nmプロセスは従来ノードに比べて大幅に多くのネオンを必要とし、複雑なマルチパターニングの要求に対応しています。先端生産の標準となったEUVリソグラフィは、従来のDUV装置と比較して3～5倍のネオンを消費します。

新たな機会としては、ネオンが極低温冷媒として利用される量子コンピューティング用途や、供給網の強靭化を背景とした北米および東南アジアでの新規参入が挙げられます。また、最大80%のプロセスネオンを回収可能なリサイクル技術が導入されつつあります。

課題と制約

市場は供給不安時に300%以上の価格変動を経験するなど、歴史的に高い価格変動性に直面しています。半導体グレードネオンの生産には多額の資本投資が必要であり、工業グレードから電子グレードへの転換コストは10～15倍に達する場合があります。さらに、エネルギー集約型の空気分離プロセスに対する環境規制は運営上の複雑性を高めています。

また、ナノインプリントやマルチパターニングといった代替リソグラフィ技術は将来的にネオン依存度を低下させる可能性を持ちますが、業界のコンセンサスでは2030年以前の普及は見込まれておらず、予測期間中は依然としてネオンが重要な役割を果たすとされています。

市場セグメンテーション

タイプ別

5N未満：主に工業用途
5N（99.999%）：主流の半導体製造
5N以上：EUVリソグラフィおよび先端ノード

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用途別

半導体リソグラフィ
メモリ生産
ファウンドリー運営
研究開発
新技術分野

主要企業

Linde plc
Air Liquide S.A.
Cryoin Engineering (Ukraine)
Ingas LLC (Ukraine)
Air Products and Chemicals, Inc.
Messer Group GmbH
Hunan Kaimeite Gases
Huate Gas
Sumitomo Seika Chemicals

レポート範囲

本レポートは、2024年から2032年にかけての世界半導体用ネオン市場を包括的に分析し、以下を含みます。

現在の市場評価と成長予測
地域別需要パターンと生産能力
ガス仕様に影響を与える技術動向
サプライチェーン動態と価格動向
競争環境とベンダープロファイル

さらに、業界調査に基づき以下の知見を提供します。

生産能力拡張計画
精製技術の進展
供給契約の構造
規制の影響
新規応用分野

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